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生長在圖案和未圖案化藍寶石襯底的氮化鎵外延層之間的特性比較

氮化鎵外延層生長在透鏡形圖案的藍寶石襯底（PSS）和未圖案化藍寶石基板（UPSS ）通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD） 。所生長的氮化鎵外延層上的PSS和UPSS的品質進行了比較。使用雙晶X射線衍射（DCXRD） ，原子力顯微鏡（AFM） ，掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發光（PL）的結構特點，表面形貌和氮化鎵外延層的光學性能進行了研究。被形成在藍寶石襯底上的透鏡形狀的圖案，以減少穿透位錯（TD）的密度，同時也提高了在透鏡的內部反射的光發射效率。 SEM圖像顯示出的氮化鎵外延層的生長在不同的時間。充分聚結，在80分鐘的生長時間觀察。

它是從DCXRD搖擺光譜看出，在氮化鎵半最大值（FWHM）上生長的PSS的全寬為438.7弧秒，小於UPSS值。半峰全寬的值較低表明在氮化鎵的結晶品質的外延層上生長的PSS相比於UPSS的氮化鎵生長的提高。它可以清楚地看到從AFM圖像，該位錯密度少，生長在PSS在氮化鎵。研究結果顯示，生長在PSS相比UPSS氮化鎵一個強大和尖銳的發光帶邊發射。觀察到的氮化鎵生長在其中並沒有出現PSS UPSS缺陷相關的黃色熒光。半高寬在364.3 nm的峰位被評估為從PL譜的氮化鎵50.7兆電子伏生長在PSS。上述結果表明氮化鎵外延層可以生長在PSS低的TD密度將是光發射有用。


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