平坦的氮化鎵薄膜的精確偏移控制的藍寶石襯底
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：27 一月 2014
- 作者 Cloudy
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高品質的薄氮化鎵層具有原子級平坦的表面已經成功地生長在由金屬有機物汽相外延精確的偏移角受控的藍寶石襯
底。底層的氮化鋁層和氮化鎵層之間的AlGaN層的插入被認為提高上部氮化鎵層的結晶質量。
InGaN膜中通常已經上生長氮化鎵外延層，但也很難生長，因為強烈的應激誘導的InGaN和氮化鎵之間的大晶格失配，在氮化鎵厚的InGaN膜。生長氮化鎵厚的InGaN薄膜具有較差的表面。記載了幾微米厚的厚的InGaN薄膜的生長已成功使用直接氮化鋁緩沖層實現在藍寶石襯底上。對氮化鋁緩沖層均勻的InGaN與2.5微米的厚度和大型銦摩爾的0.2部分可以生長。
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