為減少在a面氮化鎵上的光發射器R-藍寶石襯底和其應用的缺陷密度一步法橫向生長
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：27 一月 2014
- 作者 Cloudy
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低缺陷密度的a面氮化鎵薄膜已成功由側壁橫向外延過生長（SELO）技術生長。采用這種技術，a面氮化鎵薄膜的
原子級平坦的表面生長。該線位錯和堆垛層錯密度在雜草叢生的地區均低於106厘米-2和103 cm-1處分別。我們還制作並使用SELO技術特點a面氮化鎵基發光二極管。藍綠色LED的光輸出功率被證明是單調遞減穿透位錯密度的增加。
綠色的GaInN / GaN勢的量子阱發光二極管（LED ）晶片通過金屬 - 有機汽相外延生長在c-面藍寶石襯底上。沒有粗糙的芯片表面，例如LED顯示三倍光輸出在平面上的藍寶石結構。通過定量分析的增強歸因於兩者，提高發電效率和提取。光譜幹擾和排放模式揭示了58 ％，提高光提取，而光致發光揭示了內部量子效率加倍。後者歸因於在透射電子顯微鏡觀察到的較低的44％的穿透位錯密度。來自未包封襯底LED管芯的藍寶石側測得的局部光輸出功率達到5.2 mW在525納米處100毫安相比1.8毫瓦在參考LED。
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