生長的常規藍寶石錐形狀圖案化藍寶石襯底的InGaN基LED的比較
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：26 一月 2014
- 作者 Cloudy
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以提高外量子效率，高質量的InGaN/氮化鎵膜是通過使用金屬有機化合物化學氣相沉積生長的錐形圖案的藍寶石基
板（CSPSS） 。該CSPSS的表面圖案似乎是壓縮應變與氮化鎵和藍寶石襯底之間的晶格失配的寬松松弛更有益的，因為氮化鎵構成的CSPSS生長模式是相似的外延橫向過生長的。生長在CSPSS的發光二極管（LED）的輸出功率估計為16.5 mW在20毫安，這是由35％相比，生長在常規的藍寶石襯底上的發光二極管的改進的正向電流。的顯著增強輸出功率是由於提取效率都增加，導致由於增強的光散射在CSPSS由於位錯的減少增加的光子逸出概率，並且晶體質量的提高。
P-GaN/n-InGaN/n-GaN雙異質結（ DH ）藍色發光二極管（LED）成功地制造了第一次。輸出功率為125 μW ，外部量子效率高達0.22％在20mA室溫下的正向電流。電致發光（EL）的峰值波長和全寬度半最大值（FWHM）分別為440納米和180兆電子伏。這個值FWHM是有史以來報道的氮化鎵藍色發光二極管最小。
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