在矽-藍寶石襯底超結LDMOST

 
 

超結橫向雙擴散MOST( SJ- LDMOST )在矽上的藍寶石技術,瞄准功率集成電路(PIC ) 提出實施和特點。建議藍寶石襯底架構消除了橫向SJ設備從而實現了n和p SJ-支柱,以及在漂移區在關斷狀態的均勻電場分布之間的電荷補償“基質輔助耗盡”的效果。該設備的三維( 3-D)模擬中,使用真實的縱橫比為SJ-支柱,表明一個顯著減少在特定的導通電阻為一個給定的擊穿電壓可以比傳統的降低表面電場( RESURF實現)設備。實驗裝置采用了七面具CMOS兼容工藝實現。制造SJ- LDMOSTs為66微米的漂移區長度為1.2微米μm/0.7支柱縱橫比(寬度/高度)表現出一個特定的導通電阻為0.82 Ω.cm2和擊穿電壓(BV) 500之間的範圍內,並600 V相當於小於8.5 %電荷不平衡的支柱。

界面能和接觸角為液態銅藍寶石和液體銀藍寶石系統作為氧氣分壓的函數使用的座滴法實驗測定。對於γlg的氧化磷變化非常低的值雖小,但在氧分壓,值足夠高,以建立一個單層的液態金屬, γlg線性減小而增加的log氧化磷。這條線的斜率與氧氣通過吉布斯吸附方程的表面濃度。用於各種金屬的藍寶石系統, γlg被發現是接觸角(θ)的餘弦函數而γsl似乎是(θ)的線性函數。的理論模型已經發展到預測這種行為。與形成的界面化合物的自由能一經驗常數被使用。該模型的有效性已經通過測試的銅,銀,鐵,和鎳 - 藍寶石系統。該模型也被用來預測效果o2on酸可溶鈦的界面能並用於聯合藍寶石體系的接觸角。


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