基於氮化銦鎵的近紫外和使用圖案化藍寶石基板和網狀電極具有高的外部量子效率的藍色發光二極管
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：23 一月 2014
- 作者 Cloudy
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明顯提高發射光從氮化銦鎵基發光二極管（LED ）芯片的藍寶石襯底上生長的提取效率。兩個新的技術，這些LED
的制造被采納。一個ISTO成長的圖案化藍寶石基板（PSS）的氮化物薄膜，以散射輻射光。另一種方法是使用銠網狀電極對p-GaN接觸代替鎳/金的透光性電極，以便通過p型接觸電極，以減少光吸收。我們制造的近紫外（正UV） ，並使用上述技術的藍光LED。當第n -UV （400nm）的發光二極管是在20mA室溫下的正向電流下工作，輸出功率和外部量子效率估計為22.0mW和35.5 ％之間。當藍色（460納米）的LED是在20mA室溫下，輸出功率和外部量子效率的正向電流操作量估計他18.8毫瓦和34.9 ％之間。
氮化銦鎵/氮化鎵多量子阱的激勵功率依賴性的內部量子效率（量子阱結構）的機制上生長在15和300 K時溫度的平面和所述圖案化藍寶石襯底（PSS）的LED進行了調查。從觀察中多量子阱具有不同激發功率為兩個LED樣品的發射峰的能量和載流子壽命變化趨勢，我們得出結論的內部量子效率將增加，因為庫侖屏蔽效應占主導地位在較低載流子注入階段和減少由於帶填充效應在較高密度的階段。在室溫下，大部分的初始注入的載流子將首先通過該阻礙進一步實現高效率的LED器件的熱活化的非輻射中心消耗。在實驗上，生長在PSS LED的內量子效率為〜 70％的生長平面藍寶石襯底上的發光二極管的，這是〜 62％。對於生長在PSS LED時，所觀察到的更高的內部量子效率是由於較大的活化能因此，減少位錯缺陷和防止注入的載流子從擴展態逸出將是一個有希望的未來對於氮化銦鎵/氮化鎵勢多量子阱LED，以實現高的內部量子效率。
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