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在藍寶石襯底氮化銦鎵/氮化鋁鎵發光二極管通過金屬有機化學氣相沉積生長的光降解

對由化學氣相沉積生長的藍寶石襯底報告的InGaN / AlGaN勢雙異質結構的發光二極管（LED）的光降解。電致發光，電子束感生電流，並且陰極發光觀察表明退化的InGaN / AlGaN勢LED展品形成和黑斑和月牙形暗斑，它作為非輻射複合中心的傳播。的降解速率在0.1 kA/cm2注入電流密度的值被確定為1.1× 10 -3 ，1.9 ×10-3和3.9 ×10- 3H-1，在30的環境溫度，50和80℃下元。降解活化能也被確定為0.23電子伏特。

InGaN多量子阱（MQW）結構激光二極管（LD）的III- V族氮化物材料制備由與取向的藍寶石基板（A面）金屬有機化學氣相沉積生長。通過切割沿的方向（ R面）的基板上形成的反射鏡小平面的激光腔。作為有源層，該InGaN多量子阱結構被使用。該InGaN多量子阱的LD顯示的光輸出尖峰在415.6 nm處即有全寬半最大為0.05 nm的脈沖電流注入1.17在室溫下。激光器的閾值電流密度為9.6 kA/cm² 。


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