異質外延生長和應變對氮化鎵薄膜對藍寶石襯底的發光性能的影響
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：20 一月 2014
- 作者 Cloudy
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生長在藍寶石襯底上的氮化鎵薄膜的特征在於X-射線邦德的方法和低溫光致發光測量。在氮化鎵薄膜被發現由雙軸
壓應力被拉傷。由測得的應變和PL峰值能量，氮化鎵（平行於c軸和帶隙能量的應變之間的關系）的變形電位的移位被發現是12伏特。此壓縮應力的來源進行了討論。
氮化鋁的藍寶石襯底金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）生長情況，與設備質量的氮化鋁/氮化鎵/氮化鋁雙異質結構的目的。生長溫度高達1300 ℃下需要獲得的氮化鋁外延層具有尖銳的X射線衍射峰。通過生長AlN的生長溫度較高，殘餘應力在異質得到有效降低。表面光滑的氮化鋁外延層使用低V / III比一起高生長溫度生長。氮化鋁/氮化鎵/氮化鋁雙異質結構與相應的層厚度為DH激光器和平面異質界面生長在藍寶石襯底上。
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