發光外延氮化鎵藍寶石襯底橫向雜草叢生的：光譜表征和錯位對比
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：20 一月 2014
- 作者 Cloudy
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光致發光和陰極射線發光光譜記錄在氮化鎵外延在藍寶石上橫向雜草叢生。光子循環，從而影響附近的頻帶的邊緣
過渡的位置，是通過改變加速電壓體現在陰極發光（CL）光譜。記錄在不同波長發光的單色圖像表明，位錯作為有效的非輻射複合中心，它們是不負責的黃色帶。
銦鎵氮（InGaN ）的多量子阱（MQW）的發光二極管（LED）的膜，預制在藍寶石生長襯底，用脈沖准分子激光加工產生。薄膜銦鎵氮多量子阱發光二極管的結構，生長在藍寶石襯底上，首先結合到同一個乙基氰基丙烯酸酯基粘合劑的Si支承襯底。一個單一的600 mJ/cm2的， 38納秒的氟化氬（ 248 nm）的准分子激光脈沖，通過透明藍寶石執導，其次是低溫加熱處理，除去基材。自由站立的InGaN LED的膜，然後浸漬在丙酮中的銦鎵氮LED /粘合劑/矽結構，以從支撐矽襯底釋放設備制造。的電流 - 電壓特性和LED的前後激光剝離室溫發射光譜沒有變化。
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