基於InGaN多量子阱結構的激光二極管
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：17 一月 2014
- 作者 Cloudy
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InGaN多量子阱（MQW）結構激光二極管（LD ）由Ⅲ - Ⅴ族氮化物材料制成是由在藍寶石基板上的有機金屬化學
氣相沉積生長。由III-V族氮化物膜的蝕刻而沒有解理形成的反射鏡小面的激光腔。作為有源層，該InGaN多量子阱結構被使用。該InGaN多量子阱的LD產生215 mW在2.3 A的正向電流，與光輸出在417 nm處的有一個全寬半高的1.6納米的脈沖電流注入在室溫下一個尖銳的峰。該激光器的閾值電流密度為4 kA/cm2 。發光波長是有史以來的半導體激光二極管中產生的最短的一個。
氮化銦鎵/氮化鎵雙異質結發光二極管是捏造的。輸出功率為90微瓦，外部量子效率高達0.15％在20mA室溫下的正向電流。電致發光（EL）的峰值波長411和420納米之間變化，以820和800 ℃之間變化的InGaN有源層的生長溫度全寬度半最大值EL分別為22和25納米之間。
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