非極性a面的InGaN/GaN勢光有關r面藍寶石襯底的發光二極管的示範
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：17 一月 2014
- 作者 Cloudy
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高結晶性與光滑的表面形貌a面氮化鎵外延層由有機金屬化學氣相沉積生長在r面藍寶石襯底。半最大值的X射線搖擺曲
線的全寬度測量為沿c軸方向407弧秒，均方根粗糙度為1.23納米。非極性a面氮化銦鎵/氮化鎵發光二極管隨後生長a面GaN模板，並在20 mA （ 3.36 V）驅動電流獲得的0.72毫瓦的光輸出功率和2.84毫瓦在100 mA時（ 4.62 V）用477 nm處的峰值發射波長。
激光剝離技術，來進行傳輸預制的InGaN多量子阱從藍寶石發光二極管（LED ）到銅基板。銀的環氧樹脂被用作接合材料。表征結果顯示，最大允許電流，光輸出功率，並從使用導電銅基板的可靠性方面的巨大裝置的改進。對銅的LED能夠承受530 mA的最大電流擊穿之前，而在藍寶石上只能承受350毫安。在40毫安，對藍寶石和銅 LED的光輸出功率為0.74和0.95兆瓦。此外，在300 mA的恒定電流可靠性試驗表明改善光輸出功率對銅的LED ，而藍寶石的LED遭遇惡化與時間。
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