內部和內部輻射對藍寶石晶體的熔體生長中的作用
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：16 一月 2014
- 作者 Cloudy
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對用於生長藍寶石單晶，在生長過程中的特性，如溫度和流場的內（壁到壁）和結晶內部（散裝）輻射的影響下，
結構的感應加熱提拉爐傳熱和晶體融化的數值使用二維准穩態有限元法界面進行了研究。全局分析所獲得的結果表明溫度場，熱傳輸結構和晶體熔融接口的這兩種類型的生長爐內的輻射熱傳遞的一個很強的依賴性。
雙向的氧化鈦氧化物薄膜是通過電子回旋共振（ECR ）等離子體濺射制備的藍寶石單晶襯底上。使用的靶是燒結的鈦酸鉍（BIT）和襯底的溫度範圍400-640 ℃（基板溫度）來控制。濺射在基板溫度= 400℃的膜是一種燒綠石型氧化物（Bi2Ti2O7），其在640 ℃下改變為鈦酸鉍的氧化物中，在500℃的多晶態，並在單結晶狀態在濺鍍，在640℃的膜，所述鈦酸鉍的面生長平行於和藍寶石襯底的平面，並且鈦酸鉍的面生長平行於面的藍寶石襯底。沉積速率為大約200個獨立的濺射條件埃/分。
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