在藍寶石上氮化鋁薄膜的生長形態和表面聲波測量

鋁氮化物外延膜已生長於R-平面藍寶石襯底上,並研究了其壓電性能,適用於表面聲波裝置的應用程式。這裏報導sapphire substrate的薄膜是由涉及的三甲基鋁的氣體與氨的反應在氫氣存在下在溫度約1200℃的化學氣相沉積工藝生長使用改進的epireactor作為生長爐用氣體噴射系統,指示氣體流動到基片上,在500埃/分的增長率實現生產薄膜在10微米厚其表現出優異的機械和化學穩定性。 R平面,藍寶石組成的Al和O與O-Al-O鍵,Al-O鍵的重複序列交替層。在原子的兩個不同的層中,Al原子出現在緊密堆積結構,而氧原子被對準成沿[01¯11]方向的列。 AlN的六方晶系纖鋅礦結構具有面由Al和N組成的共面原子的密堆積結構,但分隔成列的[0001]方向對準。當原子的列與藍寶石和AlN方向共線(即,與在相同的方向上藍寶石C的突起的AlN的c軸方向指向對準獲得這兩個平面的般配軸在R平面),給予2.7%和沿線跨越方向11.9%的晶格失配。

撥回在AlN軸然而,放置在藍寶石的間隙位置,表示較差的晶格匹配的氮化鋁原子。在AlN薄膜作為生長面形態,在掃描電子顯微鏡下檢查,可分為兩類。 I類功能,這些功能在一個方向都一致,而第二類包裹體非常獨特的鱗片狀面 - DES的鱗片狀面排列,但指向伴隨著一些虛假的核受到相反的方向。在藍寶石基板的X-射線分析表明該面是使AlN的[0001]軸與R平面的方向取向的。在AlN薄膜的表面聲波測量是通過從經拋光的表面製成的Al叉指式換能器的反射阻抗的測量進行。有結果的品質和表面形態的類別之間有一定的相關性。從類影片得到的結果我是始終比從第二類的電影,導致理論的確認,有氮化鋁[0001]在R平面軸最大晶格匹配的最小應力增長的優選方向取得了較好的。表面聲波耦合常數K2和傳播速度Vs計算出的AlN厚度感測器的0.75波長比T /λ為0.8%,典型的K2值和6.1公里/秒比。從K2對t /λ的曲線時換能器的波長的相關性的研究中獲得的初步結果表明,在AlN-藍寶石介面應變約1μm延伸進入AlN膜。


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