矽薄膜的外延生長蒸發藍寶石襯底
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：04 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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藍寶石襯底上蒸發在大約2 ×10-6乇的真空矽具有良好的結構和電學性能的單晶膜。矽蒸發為1500埃/分的高沉積速
率，使用專門設計的電子轟擊裝置。在生長過程中通過反射電子衍射和副本技術研究。初始沉積含有4優選方位，所有平行於襯底表面。在進一步沉積，四個方向之一的發展，並最終形成以約800埃的膜厚度的單晶膜。結果發現，在核的早期聚結髮生的再結晶作用是必不可少的單晶膜的生長。測定所得薄膜的電性能， 0.7至6.1微米厚。隨著薄膜厚度，載流子濃度下降從1017 1016holes/cm3和霍爾遷移率上升至250平方釐米/ V·秒。
十八烷酸對單晶C面和R-平面藍寶石（α-Al2O3）的自組裝單層的增長進行了研究易地輕敲模式原子力顯微鏡，接觸角測量和傅裏葉變換紅外光譜。局部單層，生長期間中斷，包含密密麻麻秩序井然階段的低窪無序的分子矩陣中的孤島。的有序相隨著浸漬時間的函數的面積分數。生長動力學是在藍寶石基板的歷史敏感;例如，完整的細胞單層，在構造上新鮮退火（即，脫水）襯底1分鐘在與老化1天基板1小時比較1.5mM的十六烷的溶液在環境條件下形成的。生長速度稍快是C-藍寶石比R -藍寶石。雖然弱結合，完整的單層非常有序的，適形，且基本上無缺陷的。
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