對反應的分子束外延生長GaN薄膜用氮化鋁塗層的藍寶石基板的電氣和發光性能的改進
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：05 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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由反應的分子束外延生長對AlN塗層藍寶石GaN外延薄膜的電學和發光性能進行了研究。在GaN薄膜上的AlN外延膜
具有較大的霍爾遷移率，並顯示出更強烈的陰極發光峰在360納米的波長比在GaN薄膜上直接藍寶石，這表明GaN薄膜的晶體品質是通過使用氮化鋁，改進的生長塗層藍寶石作為襯底。的晶格匹配和GaN和AlN之間的熱膨脹係數的差小被認為是導致改進。
外延生長化學氣相沉積系統藍寶石，採用鋅蒸汽和二氧化碳的反應，氧化鋅薄膜進行了調查。增長率高達30微米/小時700-750 ℃，襯底溫度得以實現。生長在薄presputtered層基材薄膜具有光滑的表面和提高晶體完整性通過掃描電鏡，反射電子衍射，和聲學評估確定。薄膜具有高電阻率，最終降低暴露於大氣中。表面聲波叉指式換能器上製備的鋰擴散膜，以及1.39％的機電耦合係數，測定膜厚度與波長的0.13比。
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