單晶外延層轉移到從液相取向的藍寶石襯底上生長被示為需要的三個條件
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：04 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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單晶外延層轉移到從液相取向的藍寶石襯底上生長被示為需要三個條件： 
1.適中的氫氣環境中的分壓，大於該平衡壓力；
2.生長熔體定位在熱梯度輸送溶解式在生長介面上，並且成核；
3.在鈹的添加到熔體生長的控制。
生長的研究在溫度從850℃到1050℃表明，該層的厚度，式中，近似線性的時間和隨生長溫度和Ga的原子分數，式中生長的熔體。當式，在式基底面六邊形方向內部裂紋發展的層 - 襯底介面和對式它們傳播到表面並具有熱蝕刻。下面給出液態鎵與通式為式和式功能的交互。式I的溶解度低鎵（式餾分在1150℃下）防止有用生長由熔體緩慢冷卻。無法改變電子濃度，配方，用Zn的摻雜和式的減小與式中的生長熔體支持但不明確地證實了模型的原生供體是氮空位。
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