單壁碳納米管上的鐵薄膜包衣藍寶石襯底化學汽相沉積

報告的單壁碳納米管(單壁碳納米管)上塗覆有薄的Fe膜的藍寶石襯底化學汽相沉積(CVD) 。單壁碳納米管生長藍寶石襯底在藍寶石襯底的晶體面取向的依賴性,即定義為A- ,R-和C-面,進行了調查。它被發現時,在800 ℃下進行化學氣相沉積,單壁碳納米管的最大數量是生產的A面襯底,其次是R-和C面基板上。這個結果暗示了單壁碳納米管生長可以通過選擇藍寶石襯底的取向進行控制。

A1N對圖案化藍寶石基板的增長進行了研究,深槽皆由鐳射誘導背面濕式蝕刻技術在藍寶石襯底上製成。 KrF准分子鐳射照射在藍寶石和phenolphthalein/N-methyl-2-pyrrolidone溶液,它作為一種超熱液體之間的介面。藍寶石的蝕刻率也高達6微米/分鐘為1.0 J/cm2的鐳射功率。的A1N層生長用化學汽相反應方法在1190 ℃下進行1小時的圖案化藍寶石基板上。在刻蝕槽的傾斜側壁,AlN垂直於側壁生長,其c軸。這產生了其中約20 °傾斜,以藍寶石的基面的m面的表面。 m面A1N域的線位元錯密度為8 ×108cm2


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