藍寶石襯底的氮化和其上的氮化鎵層在低溫下生長的效果
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：10 二月 2014
- 作者 Cloudy
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遠程等離子體配備了射頻（RF ）增強型超高真空化學氣相沉積系統 - 其產生的活性氮被雇用在低溫下生長的氮化鎵
層電感耦合等離子體。該氮化的襯底表面上的氮組合物的X-射線光電子能譜分析表明，在襯底表面上的氮化處理主要是在低溫下受RF功率。然而，原子力顯微鏡圖像表明，在氮化的藍寶石表面的凸起密度主要取決於氮化溫度。這是可能的nitridate藍寶石表面而不產生突起的，通過控制甚至在低溫下的RF功率和氮化溫度。在450℃下生長的氮化鎵的結晶被認為是大大改善了當在藍寶石襯底的氮化鎵層生長前的氮化的低溫。此外，在氮化鎵層的橫向生長，不僅通過增加生長溫度還要通過藍寶石襯底的氮化鎵層生長前的氮化增強。
帶槽的c-面藍寶石襯底上首先系統地通過濕化學蝕刻的調查，用硫酸和一個3硫酸：1磷酸混合物作腐蝕劑。帶槽的藍寶石與掩模的條紋沿著指示的結構和形態特征，分別進行了在不同腐蝕時間和溫度下用掃描電子顯微鏡（SEM）分析。兩種槽形狀而異。一個是V形槽都是由一個單一的小面形成的，它的兩個側壁上。另一種是一個U形槽的一個側壁是由兩個或三個小平面，而另一側壁是由一個單一的小面。 SEM橫截面圖像顯示對稱的側壁面，沿藍寶石方向和不對稱的側壁面，沿藍寶石方向的條紋的條紋。蝕刻深度是線性的蝕刻時間。蝕刻反應的活化能的溫度範圍340-400 ℃下進行了評價。據證實，藍寶石沿方向的條紋是適用於低穿線錯位氮化鎵薄膜的橫向外延過生長。
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