厚的InGaN藍寶石襯底上金屬有機物氣相外延
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：08 二月 2014
- 作者 Cloudy
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氮化鎵或AlGaN構成的單晶膜進行厚的InGaN薄膜的生長和通過金屬有機氣相外延（ MOVPE ）緩沖液的氮化鋁，
氮化鎵或AlGaN構成的層。在InGaN構成上的氮化鎵或者AlGaN薄膜，光滑的InGaN薄膜的小銦的摩爾分數是生長在由於晶格失配引起的強應力的初始生長階段的生長。然而，隨著增加的InGaN膜表面的厚度變得粗糙，由於氮化銦鎵顆粒具有大的銦的摩爾分數的產生。光滑而厚（ 〜 2 μ M）的InGaN薄膜的大銦摩爾分數上生長的氮化鋁，氮化鎵或AlGaN緩沖層。
高效率的發光二極管發射琥珀色，綠色，藍色和紫外光已經通過代替氮化鎵活性層中使用的InGaN有源層來獲得。在InGaN有源層造成的In組成的波動本地化的能量狀態相關的InGaN基發光器件的高效率。藍色和綠色的InGaN量子阱結構的發光二極管，每瓦5和30流明的發光效率，可以分別作出盡管有大量的穿透位錯的（1×108到1×1012厘米2）。在藍寶石上外延橫向雜草叢生的氮化鎵減少穿透位錯從氮化鎵外延層與藍寶石襯底的界面始發的數量。形成氮化鎵層的氧化矽掩模區域上方的氮化銦鎵多量子阱結構的激光二極管可以有超過10000小時的壽命。位錯增加半導體激光器的閾值電流密度。
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