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氮化鋁的藍寶石上外延生長用金屬有機化學氣相沉積

外延氮化鋁（AlN）膜，使用金屬有機化學氣相沉積（MO -CVD）生長在藍寶石襯底的基底面，並且獲得下列結果。 （1 ）將基板溫度和三甲基鋁（ TMA）的生長速率濃度依賴性表明，在生長過程是由質量傳遞限制。 （2）外延膜的結晶完整性，強烈不僅由基板溫度，而且還通過氣體流動模式的影響。 （ 3 ）單晶氮化鋁薄膜，其中包括無取向錯誤的穀物可以在〜 1200℃下小心地控制瓦斯流動規律外延生長。 （4 ）結晶缺陷是由面向其對應於在表面形態觀察到的異常析出晶粒主要原因。

在基板界面附近的晶體結構已經被研究了由金屬有機化學氣相沉積生長在藍寶石襯底上的AlGaN薄膜，使用氮化鋁緩沖層。透射電子點陣圖像顯示，藍寶石/氮化鋁界面是一致的，與2.0nm的分隔失配位錯，對應寬松的體晶格參數。緩沖層和AlGaN膜之間的界面進行了討論。在基板界面附近的外延層中的缺陷結構主要由位錯和堆垛層錯躺在基底面的。


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