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藍寶石襯底表面氮化處理及其對氮化鎵生長的影響

在1050℃下形成的藍寶石（α- Al2O3）的基板表面上，加熱該氮化的層中的氨氣體，通過X-射線光電子能譜（XPS ），原子力顯微鏡（AFM ），透射電子顯微鏡（TEM分析）和能量色散X射線光譜（EDX） 。其上的GaN在初始氮化和緩沖層的連續沉積的組合使用的生長的影響進行了檢查，原子力顯微鏡觀測。在XPS的N1s的氮峰的強度迅速與氮化時間的增加，在幾分鐘內達到飽和，然後再繼續逐漸增加。

這種變化被認為對應於形態變化通過原子力顯微鏡觀察發現，即從一臺氮化的層，高密度（ 109-1010厘米 - 2 ）氮化的突起。 TEM觀察和EDX測量結果表明，氮化形成由AlNxO1 -X的無定形層。平坦氮化的層，當與緩沖層結合，有利於在其上的厚氮化鎵層的二維生長，同時用突起的結果在三維生長的層。因此，厚的氮化鎵層具有光滑的表面，可以通過控制氮化的層，其中的晶體 - 無定形的晶體生長機理的成功運行的表面生長。


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