R面藍寶石襯底上的氧化鋅薄膜通過常壓化學氣相沉積法的生長
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：08 一月 2014
- 作者 Cloudy
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氧化鋅薄膜已經被生長在R面藍寶石襯底上通過常壓化學氣相沉積法（AP -CVD法）用鋅粉和水為原料。變化增長率
為襯底溫度的函數可以被分為三個區域：再蒸發區域，質量傳遞控制的區域，和表面控制的區域。掃描型電子顯微鏡觀察，發現該薄膜的表面形態是不僅取決於襯底溫度，還取決於鋅源和水源的溫度。大多數膜的X射線衍射圖呈顯性峰，說明高A軸取向生長。沒有混合域單晶A-平面氧化鋅薄膜已成功通過優化生長條件生長。從橙紅色發射可見光區域的光致發光變為藍綠色發射系統通過調節鋅源和水源的溫度。這一結果表明在我們的AP- CVD系統控制缺陷的可能性。對於在TS = 700 °C的質量傳輸控制區域生長的薄膜，電阻率從0.45下降到0.007 Ω厘米為TH2O從54惜售到75 ° C。
垂直排列的氧化鋅都使用無催化劑納米粒子輔助脈沖激光燒蝕沉積（ NAPLD ）已成功地生長在退火藍寶石基板在相對高的氣體壓力。在氧化鋅的生長行為進行了研究的消融時間，這是我們命名“孤立粒子開始生長'和3步生長機制的氧化鋅變化被提出。SEM分析顯示，每一個獨特形狀的氧化鋅的由一個所謂的六角棒狀“根”和一個略微錐形“幹”的。阱對准的氧化鋅表現出很強的紫外（UV）輻射在室溫下在周圍390 nm和只有微不足道的可見光發射，這表明有一個非常低的高度取向的氧化鋅氧空位濃度在藍寶石襯底作為合成陣列可以提供為基礎研究和技術應用的新機會。
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