經由納米粒子輔助脈沖激光沉積的氧化鋅納米結構生長基質的影響
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：07 一月 2014
- 作者 Cloudy
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各種基材狀況對形貌，晶體結構由納米粒子輔助脈沖激光燒蝕沉積法制備氧化鋅納米結構和光致發光的影響。可以
得出結論，用1小時的退火，在1000℃在藍寶石基板是最有利的氧化鋅納米結構的垂直生長。 SEM分析表明該井對齊直徑調制的ZnO nanonails具有獨特的形狀，成功地合成了退火藍寶石基板上。所合成的氧化鋅納米材料表現出的紫外線輻射在大約390 nm和室溫下缺席的綠光，表明有一個非常低的內部氧化鋅晶格深能級缺陷濃度。新穎的氧化鋅納米結構可以提供為基礎研究和技術應用的新機會。
離子注入到III- V族氮化物材料是高功率，高溫度數字和單片微波集成電路。我們報告采用爐退火矽離子注入氮化鎵薄膜的電學，光學和表面形貌的結果。展示了高片載流子密度相對低劑量（natoms = 5 ×1014厘米2 ）矽植入到氮化鋁/氮化鎵/藍寶石異質外延膜。退火在1150℃下在氮氣中5分鐘，該樣品表現出光滑的表面形貌和一個薄膜電子濃度納秒〜 9.0 × 1013厘米-2，對應於一個估計的19％電激活和一個38 ％的矽活化在氮化鎵薄膜生長在藍寶石基板上。變溫霍爾效應矽電離能〜 15毫電子伏特。
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