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控制生長和表面形貌的二氧化矽圖案m面藍寶石襯底米為導向的氮化鎵多面域的進化

m面向氮化鎵刻面疇生長在SiO2上形成圖案的m面藍寶石襯底上，沒有低溫生長的緩衝層，並且其表面形態演變進行了研究。氮化鎵領域的首選晶體學取向的發現是敏感襯底溫度的影響。M-導向的氮化鎵多面域沿c方向的增長率被發現填補了圓形視窗區域後，顯著抑制。我們的簡單模型的計算表明，這可以通過每體積增量表面能量增量的最小化來解釋，而沿c方向上的生長，直到域達到臨界尺寸被大力不被看好。

氮化鎵薄膜是從鎵和氨氣來源藍寶石襯底上製備了熱壁外延。在氮化鎵薄膜生長特性由反射高能電子衍射（RHEED）和X-射線衍射測定進行了研究，並在薄膜生長初始層的影響進行了討論。高品質的薄膜RHEED條紋圖案時，成長於編制嘎預沉積及其表面氮化藍寶石襯底的氮化氮化鎵初始層獲得。


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