藍寶石氧化鋅納米線的張力驅動的增長:從過渡到水準增長

最近發現,從水準氧化鋅納米線(NWS)在面藍寶石場效應電晶體的大規模製造。這裏,在研究這類納米器件的橫藍寶石基板截面中,我們使用高解析度的透射電子顯微鏡(HRTEM)和大角度會聚束電子衍射(LACBED)。我們展示水準生長氧化鋅納米線是如何影響它們的底層藍寶石表面和基板是如何影響納米線的生長方向性。作為灑水生長在藍寶石,襯底經歷的≈7%的壓縮應變在其樹液方向(沿灑水的寬度),以減少它的晶格失配在ZnO灑水。因此,氧化鋅沿其寬度擴大,以改善其晶格匹配的藍寶石。生長方向是建議,產生ZnO和藍寶石之間的下部的晶格應變的方向。

淨重/藍寶石介面分析表明,單晶納米線外延生長和semicoherently大量減少失配位錯比理論預期。我們認為較少位元錯的形成在介面上氧化鋅應變到藍寶石表面的局部鬆弛。這個鬆弛是在與納米線下方的藍寶石所觀察到的變形的協定。我們還定義了一個關鍵的淨重厚度超過這個從水準到站立增長方式轉變。結果表明,該厚度下,金nanodroplets部分濕潤既藍寶石和ZnO晶體。高於臨界厚度,金優先潤濕的ZnO納米晶體,並形成失配位元錯的介面處變得能量上有利。這兩種效應的組合被用於解釋在納米線的生長模式,所觀察到的變化。


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