藍寶石襯底異質外延生長
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：13 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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氮化鎵磷化物（GaN1-XPX）外延澱積在藍寶石襯底上的鎵的BR2-NH 3-PH3-N2體系的氣相反應。結果發現，該組
合物的x和GaN1-XPX單晶的生長速率在很大程度上取決於襯底溫度和PH 3的流速引入到反應管中。的組分x的增加而降低襯底的溫度。所獲得的最大組分x為0.064在1000degC的襯底溫度。生長速率的增加而PH3的增加流速引入到反應管中。在1030degC的襯底溫度，GaN1-XPX的生長率（X≈0.05）顯著高於GaN構成較大的22倍。在GaN1-XPX單晶的背反射發散光束圖案中觀察到的衍射線是廣泛的，並沒有顯示出分離，由於Kα1和Kα2射線。
一貫低位元錯密度midwavelength紅外線（X = 0.31）液相外延碲鎘汞具有優良的形態的外延層，使用一種新的低溫（420℃），碲熔融過程上生長2英寸藍寶石襯底（PACE-1）。表面腐蝕坑密度（EPD的）之間的5×105和9×使用先前報導的化學蝕刻。剖環保署訪問揭示更迅速降低的缺陷從所述CdTe緩衝層的介面相比，傳統方法種植的（500℃）的材料。 X射線搖擺曲線寬度從43到66弧秒進行常規觀察。 77 K時電子遷移率高達51 000 cm2/V-s進行了測定。二次離子質譜分析法剖面顯示的最小雜質的吸雜在碲鎘汞/ CdTe的緩衝層介面。
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