在藍寶石基板上薄的保護的氮化鋁層的在1065 ℃下的氮化鋁的1300℃以上氫化物氣相外延生長
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：11 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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一層薄薄的保護AlN層是由氫化物氣相外延（HVPE）生長在1065°C藍寶石襯底的高溫主要氮化鋁層生長
（>1300℃）。外延氮化鋁層，直接在1320℃下在藍寶石襯底上生長的表面上的表面凹坑的形成，可以通過生長在保護層來防止。的全寬度半最大值的X-射線衍射（XRD）（FWHM）擺動的非對稱曲線（10方程圖像0）和對稱（0002）的AlN下降至19.8和9.6分鐘，分別。中在1320℃下生長的層的氧雜質濃度也從3×1019減少到4×18 cm -3以上通過保護藍寶石襯底在1065℃下
外延薄膜的鋁摻雜氧化鋅已經生長在藍寶石襯底上用脈衝鐳射燒蝕。襯底溫度，氧的背景壓力，和襯底取向（A，M，R，C）上的ZnO和藍寶石之間的取向關係的影響已經使用上和離軸X射線衍射法進行評價。在所有氧化物生長條件鋅，在A和C面藍寶石，增長與c軸垂直於基片。與此相反，在藍寶石上的M和R取向的ZnO生長而其C-軸平行或垂直於襯底取決於襯底溫度和生長過程中所用的背景壓力。在所有情況下，只有一個唯一的面藍寶石襯底和氧化鋅膜之間的關係被發現具有高的襯底溫度異常的M-面的。
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