氧化鋅納米棒陣列上的GaN/藍寶石襯底生長的選擇性使用質子束書面面膜
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：11 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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氧化鋅納米棒的陣列上生長中使用的水熱生長方法的可控方式的GaN /藍寶石襯底。質子束寫入（ PBW） ，並具有
直寫三維光刻技術中，用於圖案的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的掩模上旋塗到GaN襯底。氧化鋅，具有相同的纖鋅礦晶體結構和較低的晶格失配約為1.9 ％與氮化鎵，核比較，並在那裏的氮化鎵暴露頭寸成長為垂直杆。的ZnO納米棒的結構和光學特性通過X射線衍射（XRD）和microphotoluminescence光譜（μ -PL）進行了進一步的研究。的ZnO納米棒在氮氣中退火，在380 nm波長處顯著提高了紫外（UV）光發射，並成功地大幅度下降，黃色和綠色的帶外發射。這些結果表明，基於氧化鋅納米結構器件新的應用潛力。
以及面向垂直的氧化鋅納米線（NWS）通過使用Au薄膜作為催化劑氣相輸送工藝生長在c面藍寶石。這個新的發現是意想不到的，由於這一事實，即在氧化鋅和下麵的襯底之間的晶格失配為18％。 X-射線衍射（XRD）分析表明，單晶，纖鋅礦納米線生長在方向垂直於基面的藍寶石，這證明一個面藍寶石是不垂直的ZnO納米線的生長所必需的，因為一直如前所述我們已經發現，通過控制金/藍寶石襯底納米線的Au-薄膜與預生長熱處理的厚度可以生長或傾斜的或垂直的。在Au膜的厚度範圍為1〜 10nm的原子力顯微鏡（AFM）和掃描電子顯微鏡（SEM）研究表明，在無膜退火，納米線可以種植從表面法線傾斜32 ° ，而預退火金薄膜導致納米線的表面的法線方向生長。我們認為在正常和傾斜生長方向形成在藍寶石O和鋁離子的表面濃度。
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