高品質均勻的c-軸取向的氧化鋅與氧化鋅範本面藍寶石襯底的納米線生長
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：09 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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高品質，垂直排列的氧化鋅（ZnO ）納米線是由上覆蓋其沉積均勻的ZnO納米晶種層（1 1 2 ‾ 0）（ a
面）的藍寶石襯底上氣相傳輸法生長在通過簡單的化學氣相沉積的先前增長步驟。在所述襯底通過昇華和乙酸鋅二水合物的熱分解作為前體在中等溫度和壓力上形成一薄層密堆積的納米種子用12納米的平均尺寸的迅速增長。隨後，通過一個碳氮化熱蒸汽輸送方法得到的納米線具有高的重複性和均勻性進行的氧化鋅納米線生長。在作為生長， c軸取向的納米線表現出優異的發光特性和相對於襯底表面的完美對齊。
氮化硼薄膜是使用三氯化硼與氨反應來製備由化學汽相沉積在熔融石英和藍寶石。襯底的溫度600和1100℃之間變化獲得熔融石英和藍寶石在1000-1100 ℃，襯底溫度BN的透明和光滑的薄膜藍寶石上的膜的生長速度為約1微米的H-1，並在熔融二氧化矽的生長速度為約二分之一，於藍寶石。該膜是化學惰性的和粘附在基材上。的BN薄膜的吸收測量在室溫下進行。在近紫外區，主要吸收峰在約6.2 eV和銳減附近發生5.8電子伏特。的大幅下滑歸因於直接帶隙。薄膜的光致發光測定在室溫下通過用激發光的波長254納米。觀察到近360 nm處的峰寬的發射。
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