單晶藍寶石襯底

 
 

C面藍寶石襯底被用於生長III-V族和II-VI族化合物,諸如氮化鎵為藍色LED和激光二極管。此外,它是用於紅外線探藍寶石襯底測器的應用是有用的。

A-平面藍寶石襯底上提供均勻的介電常數和高絕緣性混合型微電子應用。高超導體能夠生長與a面藍寶石基板上。

R面藍寶石襯底被用於矽的微電子集成電路應用的異質外延沉積。藍寶石是混合基質,如微波IC的,因為它的高介電常數的一個很好的選擇。此外,當與外延矽過程拍攝,高速集成電路和壓力換能器可以被創建。生長鉈,其它的超導元件,高阻抗電阻器,和砷化鎵的其他應用程序。


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