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輝鉬在半導體領域的應用前景

輝鉬是一種非常有前途的半導體材料。公開資料顯示，與傳統的半導體材料——矽相比，輝鉬的優勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維，而矽是三維材料。輝鉬的另一大優勢，是比矽的能耗更低。輝鉬材料被寄希望於制造更小、更高效的電子芯片，在下一代電子設備領域，將比傳統矽材料和目前熱門的石墨烯更有優勢。目前研究主要集中在層狀輝鉬制備方法及其晶體管中的應用方面。目前的微機械剝離方法、嵌鋰工藝都不能規模化制備層狀輝鉬。因此，輝鉬要向產業發展還需要進一步研究制備工藝、輝鉬的屬性，同時，輝鉬在晶體管、未來電子芯片中的應用研究還需要進一步加強。

輝鉬作為性能良好的下一代半導體材料，在制造超小型晶體管、發光二極管和太陽能電池方面具有廣闊的前景，但是該技術尚且處於實驗階段，離產業化還有較遠的距離，未來如果該技術得以大規模應用，則能顯著改善全球鉬金屬的貢獻結構。目前全球鉬的消費量約為21萬噸，全球電子級與光伏極矽的年需求量約為20萬噸，假設其中50%被替代，則鉬的消費將新增10.5萬噸/年，約占當前鉬消費量的50%，這將顯著改善鉬行業的全球供需結構，但目前來看，輝鉬在半導體材料的應用將對鉬金屬的需求帶動有限。

因此，輝鉬材料未來將對能源、軍事等領域的發展產生極大的推進作用。不過，輝鉬可完全替代矽材料還為時過早。

輝鉬在晶體管中的應用

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