輝鉬與晶體矽和石墨烯的比較分析
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- 分類：钼的知識
- 發佈於：06 三月 2017
- 作者 qiongzhen
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輝鉬是硫化物的一種，是一種軟金屬，觸摸時有油膩感，又鱗狀物組成，呈無光澤的鉛灰色，若將其置於容器中加熱，會產生黃色煙霧。在不鏽鋼上鍍一層輝鉬，能增加其韌度，並能防腐。輝鉬作為一種新型的半導體材料，可以超越矽的物理極限，與傳統的矽材料、富勒烯、石墨烯等在納米電子設備應用方便更具優勢。
一、輝鉬與晶體矽材料相比，具有以下兩點優勢：
1）輝鉬有助於進一步減小晶體管的尺寸，從而制造出一種體積更小、性能更好的電子設備。輝鉬單分子層是二維的，而矽是一種三維材料。目前矽薄膜還不能做得像輝鉬薄膜那麼薄，制作矽芯片的極限厚度是2nm，如果厚度再縮小，其表面就容易在環境中發生氧化，影響矽芯片的電氣性能。而輝鉬材料制成的芯片即使在3個原子的厚度上也能正常工作，並且在這一尺度上的材料傳導性依然穩定可控；
2）輝鉬材料的另一個優點是其在帶隙上的優勢，有輝鉬制成的芯片開關速度更快、能耗更低、實驗表明，用單層輝鉬制造的晶體管在穩定狀態下的能耗為傳統矽晶體管的十萬分之一。
二、輝鉬與石墨烯相比：
石墨烯最初被作為一種可以取代矽用於數字邏輯電路芯片的新興材料，但石墨烯並非自然狀態的半導體材料，它必須經過特殊工藝處理來實現這一目標。與石墨烯相比，輝鉬具有天然帶隙，有利於電子躍遷以控制通斷，用氧化鉿介質柵門還能大幅提高其電子流動性，屬於真正的半導體材料，並且可以制成原子極厚度的集成電路；而石墨烯沒有帶隙，人為摻雜帶隙非常困難，且會降低電子流動性，或者需要高電壓。
輝鉬礦
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