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一種半導體器件中矽片和鉬片的焊接方法

鉬是高熔點金屬（熔點為2650℃），再結晶溫度為1650℃，故也稱難熔金屬。它在電真空器件上的廣泛應用早為人們熟悉，然而鉬在半導體器件上的應用卻鮮為人知。將鉬應用於半導體器件上，可大程度提高半導體器件的性能。以下介紹一種半導體器件中鉬片與矽片的焊接方法。

該方法包括以下步驟：
1）在鉬片上設置第一銀層；
2）在矽片的陽極上設置第二銀層；
3）將第三銀層設置於第一銀層和第二銀層之間；
4）通過第一銀層、第二銀層和第三銀層的焊接，從而將矽片與鉬片焊接在一起。

該方法工藝簡單，成品率高，焊接強度高、焊接層空洞率低，變形量小，可大大的提高產品的性能。

磨光鉬片

磨光鉬片

矽片

磨光矽片

矽片

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