鉬濺射靶材的特性要求
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- 分類：钼的知識
- 發佈於：03 三月 2017
- 作者 qiongzhen
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在電子行業中，基於鉬的高熔點、高電導率、較低的比阻抗、較好的耐腐蝕性以及良好的環保性能，鉬濺射靶材廣泛應用於平面顯示器、薄膜太陽能電池的電極和配線材料以及半導體的阻擋層材料。鉬濺射靶材按形狀分為兩種，一種是平面板狀靶材，另一種是管狀旋轉靶材。為了提高濺射效率和確保沉積膜的質量，對鉬濺射靶材特性有以下幾點要求。
1）純度
高純度是對鉬濺射靶材的一個基本的特性要求。鉬靶材的純度越高，濺射薄膜的性能就越好，一般鉬濺射靶材的純度至少需要達到99.95%。
2）致密度
由於在濺射鍍膜的過程中，致密度較小的濺射靶受轟擊時，由於靶材內部空隙內存在的氣體突然釋放，造成大尺寸的靶材顆粒或微粒飛濺，或成膜之後膜材受到二次電子轟擊造成微粒飛濺，這些微粒的出現會降低薄膜的品質，因此一般要求濺射靶材具有較高的致密度，減少靶材固體中的提空，提高薄膜的性能。對鉬濺射靶材而言，其相對致密度應該再98%以上。
3）晶粒尺寸及尺寸分布
鉬濺射靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。細小尺寸晶粒靶的濺射速率要比粗晶粒快；而晶粒尺寸相差較小的靶，澱積薄膜的厚度分布也較均勻。
4）結晶取向
由於濺射時，靶材原子容易沿原子六方最緊密排列方向擇優濺射出來，因此，為達到最高濺射速率，常通過改變靶材結晶結構的方法來增加濺射速率。
5）靶材與底盤的綁定
一般鉬濺射靶材濺射前必須與無氧銅（或鋁等其他材料）底盤連接在一起，使濺射過程中靶材與底盤的導熱導電狀況良好。綁定後必須經過超聲波檢驗，保證兩者的不結合區域小於2%，這樣才能滿足大功率濺射要求而不至於脫落。
平面板狀靶材
管狀旋轉靶材
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