Bridgeluxと東芝のGaN-On-Silicon技術協力協定
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- カテゴリ: サファイア結晶成長炉-モリブデン製品ニュース
- 2013年4月24日に公開
- 作者: hua
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米国のBridgeluxと日本の東芝、4月23日に発表、Bridgeluxその業界をリードするGaN-On-Silicon技術と東芝に売却関連資産。双方が合意に達すること、さらに強化し、戦略的な技術協力を深めます。
GaN-On-Silicon技術の共同開発に基づいて、と東芝は確保するのBridgeluxのGaN-On-Silicon LEDチップ供給源、生産契約、隣にあるLEDチップとパッケージの生成、またはプラットフォームの協力を拡大する。双方間の戦略的関係の強化は、新たなビジネスチャンスをもたらすでしょう。
トランザクションは、GaN-On-Siliconの資産が含まれています，契約はBridgeluxのリバモア本部で閉じた後Bridgeluxの関連スタッフは、残る、双方は、技術的および商業的な協力を続けていることを確認するには。
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