由鉬和銅化鉬的藍寶石晶片襯底
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：24 二月 2014
- 作者 Cloudy
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在LED芯片上的半導體層轉換電流轉化為光。它們由過剩電子的區域（n型摻雜）和一個區域，其中有電子（p-摻
雜）的短缺。當電流施加到所述半導體層，所述電子分布平衡了。他們自然會煥發光光子的形式。剩餘的能量在溫度高達85℃。
在未來LED將更加光彩奪目，操作和溫度將上升。鉬圓片襯底，例如在藍寶石或矽為基礎的（Si）的LED芯片，並且我們已經開發專門為在藍寶石基LED芯片使用銅化鉬複合材料的使用，攀時有散熱的最佳材料，它的範圍。
晶片襯底鍵合到LED芯片上的半導體層在溫度高達800 ℃。 R670的銅化鉬材料特制我們開發的藍寶石基板LED ，是專為焊接過程中以及在LED芯片長期散熱。 R670的熱膨脹相同的系數（CTE = 6.7 ppm /度）為氧化鋁。氧化鋁是兩個藍寶石晶片和在LED芯片的陶瓷載體板的基體材料。銅化鉬晶片的均勻的熱膨脹，藍寶石基板和陶瓷基板可以防止在半導體層及焊錫層的缺陷。
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