在氯化銦氨系統的氮化銦外延層的制備

氮化銦中的使用氯化銦和'氨氣之間的相互作用的開口管流法的外延生長進行了討論。氮化銦上的外延層上生長單晶藍寶石襯底取向的藍寶石襯底的工藝和結構的完善各種工藝參數的影響被考慮。該方法的主要動能依賴性作圖和discussed.氮化銦外延層分別鑲嵌和n-型與電子濃度2· 1020-8 · 1021厘米-3和遷移率50-35平方厘米/分別V·秒。

最近的研究結果表明,公式可能是AP-型透明導體,但薄膜的合成是因為複雜的公式相圖的困難。報告使得c軸取向配方薄膜的可靠的方法,薄膜前體沉積在藍寶石襯底上射頻濺射和脈沖激光沉積。在空氣中含有公式和公式粉末封閉的坩堝隨後的退火公式產生近晶相純,雙軸織構公式。該薄膜是p型和透明帶式的間隙。


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