用於製造III族氮化物半導體雷射器的方法步驟
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：19 十二月 2013
- 作者 Cloudy
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用於製造III族氮化物半導體雷射器的方法包括的步驟有：
形成氧化鋅（ZnO）的一個區域的中間層，在藍寶石基板與氮化鋁（AlN）中的其他區域的中間層；
形成由多個子層的III族氮化物化合物半導體的半導體鐳射元件層（AlxGayIn1-x-yN，包括x = 0的情況下，Y = 0和X = Y = 0）在該中間層；
除去氧化鋅（ZnO），通過濕蝕刻用的ZnO選擇性液體蝕刻劑僅在中間層，從而形成間隙之間的所述藍寶石襯底和所述半導體鐳射元件層的最底部的子層，以及切割所述半導體鐳射元件層用的輔助所述間隙，具有解理的被用來作為鐳射諧振腔的反射鏡表面所得到的平面。
氧化鋅（ZnO）的和氮化鋁已接近那些III族氮化物化合物半導體的晶格常數（AlxGayIn1-x-yN，包括x = 0的情況下，Y = 0和X = Y = 0），並且這兩種物質會使緩衝層，其有助於高品質在藍寶石基板III族氮化物化合物半導體的生長。通過蝕刻掉氧化鋅（ZnO）的唯一的中間層，可以形成在藍寶石襯底和III族氮化物化合物半導體鐳射元件中的蝕刻區域層之間的間隙。這些間隙可被用作用於III族氮化物半導體雷射器元件層的選擇性裂解的導向，從而產生足夠高品質的鏡面，以允許可靠的鐳射腔的形成。這反過來又有助於在鐳射元件的輸出功率的顯著改善。
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