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改變藍寶石襯底主面取向的實驗

實驗改變了藍寶石襯底的主面的取向，已在襯底上外延生長氮化鎵基氮化物化合物半導體，切割生長層在多個方向和檢測的解理面的精度。事實證明，在氮化鎵基半導體化合物外延生長在藍寶石基板的表面上獲得了良好的精度劈裂面，與生長的半導體層隨後被切割的平行於襯底的c軸方向的方向。

實驗已經完成在這些情況下，具有作為一個物件提供一個III族氮化物系化合物半導體鐳射二極體，其中鐳射諧振腔的兩個端面的平行度和表面精度的程度進行了充分改進，以確保在雷射器更高的效率振盪。


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