單晶氮化鎵納米帶在藍寶石襯底上的合成試驗

合成了一個兩步生長技術的氮化鎵納米帶。首先,氧化鎵薄膜的厚度為 500nm的使用JCK- 500A射頻沉積在清潔的藍寶石襯底藍寶石磁控濺射系統。在藍寶石基板上採用丙酮,異丙醇和去離子水的沉積前清洗。濺射室的背景壓力為約5 ×10-4 Pa和氣體用Ar的比值:在濺射過程中N2 = 10:1下1帕的壓力被引入到所述腔室。兩個Ar和N2的純度為99.999 %。目標是氧化鎵(99.999%)和在靶和基板之間的距離為80mm 。該射頻和濺射的功率分別為13.56兆赫和150瓦,分別。

在第二個步驟中,濺射氧化鎵薄膜樣品在氮化一個L4513II-2/QWZ開管式爐中。當管加熱到1000℃的平衡溫度,高純度的NH 3 (99.999% )與300毫升的流速/分鐘引入到管中的氧化鎵薄膜,插入管之前。氮化反應進行10分鐘,然後爐子的功率被關掉。爐被允許在沒有流動的氨的自然冷卻至室溫,最後將樣品從爐中用於表徵取出。


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