電抗器和厚的GaN層通過HVPE在藍寶石襯底上生長發育過程優化
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：29 十一月 2013
- 作者 Cloudy
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總體而言，120微米厚的GaN層無裂紋一直生長在藍寶石襯底上用氫化物氣相外延。這已經通過基於三維建模過程
中，選擇的生長參數特別是載體氣體的成分和適宜的 GaN /藍寶石範本的使用在反應器中的流動模式的優化來實現。一個重要的發現是，大約50 ％的N2載體的H2含量收益率最低的裂紋密度。
薄膜是在藍寶石襯底上用脈衝鐳射沉積後，加溫混合，還原性氣體冷長大，豐富的鎂、鋯吸除環境大氣壓在750℃和950 ° C。該膜具有範圍在29-34 K，20 K時，在20的4-6.2 ķ T的逆相關性被發現之間和這些膜的〜 0.1-1微米的晶粒尺寸和範圍和不可逆性的欄位強雙軸取向中觀察到950℃ annealedfilm取向的氧化鎂中也觀察到。膜的晶化過程中的鎂塗層出現改善膜。
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