生長在藍寶石襯底高度有序的AlN納米線陣列的光學特性

兩種技術描述由單晶藍寶石的可以生長。一個是垂直拉技術用於生產分散,無lowdislocation密度材料的發展,而另藍寶石基板一種是以前用於鎢酸鈣的浮區,重結晶技術的延伸。在用這些技術生長的晶體缺陷的起源和控制進行了討論。

通過在藍寶石基板上的簡單的物理氣相沉積法合成了高度有序的AlN納米線陣列。納米線有一個非常尖銳的針尖« 10納米,大約3微米的平均長度。在氮化鋁納米線陣列的拉曼光譜的分析表明,聲子的壽命比在大尺寸AlN短。在AlN納米線的透射譜呈現藍移〜 0.27電子伏特的吸收邊帶,大部分的AlN ,這是密切相關的納米線的小尺寸。


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