氮化鎵範本全新上市
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：28 四月 2013
- 作者 hua
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日立電線株式會社宣佈成功開發出在藍寶石基板上生長的高品質氮化鎵（GaN）單晶薄膜的GaN範本全新量產技術，並已開始銷售。
透過將該產品用作「白色LED磊晶」的底層基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生產效率及LED特性。因此，對於業界競爭十分激烈的白色LED製造商而言，該產品可望成為有效提升產業地位的解決方案。
近年來，白色LED以其節能、壽命長等顯著優點，在以液晶面板背燈為代表的照明產品的需求正在急劇擴大。白色LED磊晶的基本結構是，先在藍寶石基板上生長出一層10μm厚的n型GaN層，接著生長一層1μm厚的超薄活性層和p型GaN層。在一般的生產工序中，這些晶體層全部採用MOVPE法(注1)實現生長。MOVPE法雖然適用於需要原子級膜厚控制的活性層的生長，但為了生長出所需厚度的優質n型GaN層，則需要花費較長的時間。因此，白色LED磊晶的生長次數每天最多1～2次，如何實現高效率的生產方式，一直是個待解決的難題。
為了解決這一課題，日立電線開發出了採用MOVPE法生長的底層基板所使用的GaN範本。
GaN範本採用在藍寶石基板上生長n型GaN層的結構。透過採用GaN範本，LED製造商將不再需要n型GaN緩衝層的生長制程，生長所需要的時間也將降至原來的一半左右。另外，採用日立電線生產的GaN範本，還可以同時實現低阻化和高結晶性，也同樣適用於需要較大電流的大功率LED。
之前，日立電線曾開發出用於藍紫色雷射器等的單晶GaN自支撐基板，並為了實現該產品的生產，促進了採用HVPE法的獨有結晶生長技術的發展。這次，我們憑藉此項獨有的生長技術，全新開發出高品質GaN範本的高效率生產技術及設備，建構了完備的量產體制。
GaN範本的主要特點
‧採用在GaN自支撐基板的開發過程中累積的生長技術，實現了高結晶性和高表面品質。
‧具備同樣適用於大功率晶片鍵合型LED等的低電阻n型GaN緩衝層。
‧支持表面平坦的藍寶石基板及各種PSS。
‧支援直徑2～6英寸晶片（8英寸晶片的開發正在計畫中）。
除以前開發出的GaN基板和GaN磊晶外，日立電線這次又新增了GaN範本產品，今後將進一步強化和擴展GaN產品線。
同時，今年的5月13～16日期間，日立電線還將出席在美國紐奧良市舉辦的CS Mantech，進行有關GaN範本的說明展示。
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