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2030年日本LED照明普及率將達到30%

LED照明的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的。在LED行業中，2009年該消費金屬鎵約為25噸，2010年達到50噸左右，2011年將達到75噸左右，2012年突破100噸，連同現代半導體工業（無線通訊 和LED照明）的使用量約占金屬鎵全年產量的80%左右。正是由於LED下遊產業的發展導致了對金屬鎵的需求出現爆發式增長。

日本經濟工業省的計劃，該國期望在2030年前使用LED及OLED照明產品替換60%以上的白熾燈。

經濟工業省表示，雖然現階段普通照明用熒光燈在短期經濟效益方面更有優勢，但產品在未來的發展有很大的局限性。反觀LED照明在近幾年的光效發展很快，產品的成本下降也帶動成品的價格下降，因此在替換傳統照明產品方面還是很有前途的。

依據日本機械產業結合會猜測，2030年時，LED及OLED照明在日本室內照明的普及率將達到30%，耗電將占照明用電總量的20%，在節能減碳的效益方面，屆時每年將可節約187億千瓦時的力，或是700萬噸二氧化碳的排放。

國際能源署世界資源研究所的數據，日本的人均能量消耗在世界上名列前茅，這也意味著日本提高能源利用率還有很大的潛力，日本本身的資源不豐富，提高能源利用率也是可持續發展的要求。


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