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2015年我國LED照明產業產值預計達到4500億元

LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的。在LED行業中，2009年該消費金屬鎵約為25噸，2010年達到50噸左右，2011年將達到75噸左右，2012年突破100噸，連同現代半導體工業（無線通訊和LED照明）的使用量約占金屬鎵全年產量的80%左右。正是由於LED下遊產業的發展導致了對金屬鎵的需求出現爆發式增長。

2015年LED照明節能產業產值有望達到4500億元，而關鍵設備和重要原材料國產化的政策導向將使相關上市公司從中受益。

發改委昨日發布《半導體照明節能產業規劃》提出，到2015年，半導體照明節能產業的關鍵設備和重要原材料實現國產化，重大技術取得突破。高端應用產 品達到國際先進水平，節能效果更加明顯。LED照明節能產業集中度逐步提高，產業集聚區基本確立，一批龍頭企業競爭力明顯增強。研發平臺和標准、檢測、認 證體系進一步完善。

具體而言，首先是節能減排效果要更加明顯，市場份額逐步擴大。到2015年，60W以上普通照明用白熾燈全部淘汰，市場占有率將降到10%以下;節能 燈等傳統高效照明產品市場占有率穩定在70%左右;LED功能性照明產品市場占有率達20%以上。此外，LED液晶背光源、景觀照明市場占有率分別達 70%和80%以上。與傳統照明產品相比，LED道路照明節電30%以上，室內照明節電60%以上，背光應用節電50%以上，景觀照明節電80%以上，實 現年節電600億千瓦時，相當於節約標准煤2100萬噸，減少二氧化碳排放近6000萬噸。

其次是產業規模穩步增長，重點企業實力增強。LED照明節能產業大發展目標是產值年均增長30%左右，2015年達到4500億元(其中LED照明應 用產品1800億元)。產業結構進一步優化，建成一批特色鮮明的半導體照明產業集聚區。形成10~15家掌握核心技術、擁有較多自主知識產權和知名品牌、 質量競爭力強的龍頭企業。

第三是技術創新能力大幅提升，標准、檢測、認證體系進一步完善。LED芯片國產化率80%以上，矽基LED芯片取得重要突破。核心器件的發光效率與應 用產品的質量達到國際同期先進水平。大型MOCVD設備(LED外延片生產設備)、關鍵原材料實現國產化，檢測設備國產化率達70%以上。

據統計，近幾年全球LED照明節能產業產值年增長率保持在20%以上。到2020年全球照明市場規模將超過1500億美元，LED照明市場有望達到750億美元，占全球照明市場份額50%。

不管是普通的LED還是高壓LED都不可避免地要面臨散熱設計和工作可靠性的問題。然而對於如何解決這些問題也是很多人一直在關注的。

先從成本、市場的角度考慮，高壓LED作為照明光源，LED器件產品應用到路燈上，技術上的特殊要求主要是要結合LED光強和發光角度來設計，另外由於多顆LED組合，出光設計方面要兼顧照射面域，燈具方面需要重點考慮散熱的有效性。

高壓LED燈與普通燈的對比最主要的解決對策如下：

優勢：節能、環保，易於和低壓適配，也可和太陽能系統直接配套，無需額外的逆變、轉換過程，能達到最大的能源利用率。

不足：照明角度偏小、不均勻，顏色顯色指數偏低，光學、散熱設計複雜。

技術上的不足：當前技術下的光通量還不夠，光效太低，品質難以保證。

解決措施：LED產品應用於路燈需要專門的設計，也需要專門的標准（用傳統光源的測試數據來評價LED光源往往並不客觀）。

總之，高壓LED不失為一種具有特點的LED,它可以增加使用者的選擇。由太陽能供電的燈具系統裏，本來就是低壓直流的電源，當然也就會直接采用低壓直流的LED了。所以各種LED都會存在，只是供給不同的場合罷了。


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