高壓芯片將是未來LED芯片市場主流趨勢
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：15 四月 2014
- 作者 Cloudy
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LED照明的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如砷化鎵、磷化鎵、磷砷化鎵等半導體制成，它是利用固體半導體芯片作為發
光材料。稀有金屬鎵在現代半導體工業應用廣泛，主要以化合物砷化鎵出現，占到金屬鎵總應用的80%左右，砷化鎵主要用在3G手機、半導體無線通訊及LED照明上。
目前從芯片市場來看，大型LED芯片企業在市場競爭中有著產品範圍廣、產量大、供貨能力強等優勢，因此自身具備足夠的實力來應對市場風險。而規模小的企 業，產品品種少，產量低，價格不具備優勢，整體銷量就會下滑，最終就有可能被競爭對手擠出市場。面對產品價格快速下滑的局面，要降低產品生產成本，就需要 快速擴大生產規模來提高量產能力。擴產不僅可以降低產品成本，還可以利用規模化優勢擠占競爭對手市場份額。
高壓芯片和低壓芯片都有各自的市場需求，高壓芯片日後可能會是一種市場趨勢，但目前高壓芯片的技術還在不斷升級中，要取代低壓芯片占據市場主導地位還有一段路要走。市場上的高壓芯片產品基本都處於小規模量產階段。高壓芯片相比低壓芯片有兩大明顯競爭優勢：
第一，高壓芯片是在芯片端進行串聯，可靠性有更好的保障。對於封裝來講節省了部分固晶和打線的工序，節約了金線成本。同時可以采用阻容降壓的方式，電源方案可以進行優化，電源成本有所下降。對於整個燈具而言，系統性的節省物料，節約成本。
第二，高壓芯片可以大幅降低AC-DC轉換效率損失。以10W輸出功率為例，如果采用正向壓降為50V的1W高壓芯片，輸出端可以采取2並4串的配置，4 個串聯LED的正向壓降為200V，也就是說只需從市電220V交流電(AC)利用橋式整流並降20V即可。但如果我們采用正向壓降為3V的1W低壓 LED，即便10個串在一起正向壓降也不過30V，也就是說需要從220VAC市電降壓到30VDC。我們知道，輸入和輸出壓差越低，AC到DC的轉換效 率就越高，可見如采用高壓LED，變壓器的效率就可以得到大大提高，從而可大幅降低AC-DC轉換時的功率損失，這一熱耗減少又可進一步降低散熱外殼的成 本。 由此可見，高壓芯片可以帶來LED照明燈具成本和重量的有效降低，但其更重要的意義是大幅降低了對散熱系統的設計要求，從而有力掃清了LED照明燈具進入 室內照明市場的最大技術障礙。高壓芯片成為照明燈具一個低成本高光效的解決方案。
2014年LED產業的發展，應該說整體向好，同時也將面對更多的機遇與挑戰，在照明市場的帶動下，芯片廠商有望高稼動率運行，不過在這期間LED企業的 經營策略尤為重要。結合環境優勢，做專品牌，做大市場，實現規模效應是未來LED芯片企業應對市場風險的有效途徑。
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