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硫化鉬研究獲突破 概念股表現活躍

據外媒報道，美國北卡州立大學的研究人員表示，他們開發出了製造高質量原子量級半導體薄膜(薄膜厚度僅爲單原子直徑)的新技術，新技術能將現有半導體技術的規模縮小到原子量級，包括激光器、發光二極管和計算機芯片等；而其所用材料硫化鉬成爲關鍵。

據悉，研究人員研究的材料是硫化鉬，它是一種價格低廉的半導體材料，電子和光學特性與目前半導體工業界所用的材料相似。然而，硫化鉬又與其他半導體材料有所不同，因爲它能以單原子分層生長形成單層薄膜，同時薄膜又不會失去原有的材料特性。

衆所周知，石墨烯在A股市場上不時掀起炒作狂潮，而石墨烯自身的發展，也早就不局限于概念的炒作。如今，分析人士表示，單層輝鉬材料有望取代現有的矽和熱門石墨烯，成爲下一代半導體材料，其發展潜力不容小覷。

此次氧化硫研究獲得突破後，半導體薄膜在納米電子器件中將更受歡迎；分析人士指出，A股市場中沾“鉬”概念，如洛陽鉬業、新華龍及金鉬股份將有望受到資金的青睞。


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