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可替代石墨烯新材料-二硫化鉬

近日，英國南安普頓大學的光電研究中心成功研製出了可以代替石墨烯的新材料-二硫化鉬（MoS₂）。

總所周知，石墨烯具有優越的性能，例如低電阻、高導熱導電性、高强度等，且它非常的薄，幾乎是透明的，非常的緻密，因此常作爲透明電子産品的原料，例如觸摸顯示屏、發光板和太陽能電池板，是一種性能超强的新型納米材料。

英國光電研究中心的研究人員成功製備一種新型材料二硫化鉬（MoS₂），它具有與石墨烯許多相識的特徵，包括卓越的導電特性和機械强度，但是不同的是二硫化鉬是一種鉬與硫化合而成的金屬材料。這種新型的金屬-硫化物材料，也稱爲過渡金屬硫族化合物（TMDCs）。因其具有與石墨烯相似的性能，因此有望成爲替代石墨烯的新材料。且TMDCs還可以發光，因此可以用其製備光電探測器和發光器件，這是石墨烯所不能達到的。

研發MoS2的Kevin Huang博士從2001年來就一直使用化學氣相沉積法（chemical vapour deposition，CVD）來合成硫族化合物材料。隨著技術不斷成熟，目前他們可以使用該技術得到面積超過1000平方毫米的超薄膜，且其厚度只有幾個原子而已。CVD可以大規模制得MoS₂薄膜，大大提高了這種材料在納米電子和光電領域的應用前景。Kevin Huang博士還指出，他們不僅僅能大規模合成這種薄膜，還能將這種薄膜轉移到任何基底上，因此無形中增加了這種材料的潜在需求。目前他們正與一些英國公司和高校合作，其中包括一些頂尖的國際組織，例如美國麻省理工學院（MIT）和新加坡南洋理工大學等。

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