二碲化鉬-新型半導體材料
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- 分類:鉬業新聞
- 發佈於:08 四月 2016
- 作者 yiping
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矽是最普遍使用的半導體材料。但是但是它具有兩個缺點:一是當矽塗層變薄,它的電子性能就會衰退;二它的簡介能帶隙使得它很難應用於光電工程中,大大限制了矽的使用範圍。所以許多科學家都在尋找新的半導體材料。二碲化鉬是由日韓團隊研發的一種新型半導體材料。
其實二碲化鉬早在1960年代就被合成出來,但因為它不能以單純的形式獲得並利用於電子設 備上所以一直沒有被重視,直到,該團隊研製出提煉出一種純度很高的二碲化鉬,才打開了其半導體的應用領域。在此之前,二碲化鉬主要作為固體潤滑劑應用於各 種不同領域。二碲化鉬具有比矽更好的性能,它的同質結效率極高,是矽的10~50倍,電子可以在其中迅速運動。另外,它具有與矽幾乎一樣的能帶隙。因此可 以代替矽成為新型的半導體材料。與簡單制造出單原子層的石墨烯不同,它們之間的相互作用很大,因此用二碲化鉬做出獨層通道的晶體管原型並不容易。
二碲化鉬是一種灰色六角形粉末狀固體。它的物理、化學性質如下所示:分子式:MeTe2,,分子量:351.14,CAS號:12058-20-7,EINECS號:235-028-4,能在堿中分解,不溶於水,可溶於硝酸,在空氣中較穩定,在真空中於高溫下可以分解。
鉬可以和碲在密閉的真空管子中,在高溫環境下直接化合成異質同相化合物。具體操作步驟如下:在430℃時鉬與碲化合,高溫時可反應形成MoTe2(MoTex x=1.88~2)或Mo3Te4。化學反應式:Mo+2Te→MoTe2。
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