二矽化鉬在集成电路薄膜的應用
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- 分類：钼的知識
- 發佈於：28 八月 2013
- 作者 陈桂兰
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金屬矽化物因具有類似幹金屬的低電阻以及高溫下的穩定性，更由於可直接在多晶矽上沈積，當電阻減小時能保持住基本的MOS電路多晶矽柵，而受到人們高度的重視。如果僅考慮比電阻小這一方面，則鉬、鎢、鉭、鉆、鈦等過渡金屆的矽化物均可采用。然而，在大規模集成電路(LSl)制造過程中，由幹要經受1000℃以上的高溫處理和高溫氧化，這些材料均必須進行耐高溫處理。因此，如果同時考慮這些因素，那就只剩下鉬、鉭和鎢等少數幾種矽化物。近幾年用於LSI柵極互連線的難溶金屬矽化物最受人註目的是TiSi2、TaSi2、MoSi2和WSi2等四種。研究證明，化學氣相沈積(CVD)以及陰極元素靶共濺射是制備上述難熔金屬矽化物薄膜最好的選擇。對於MoSi2薄膜，一般是在高溫下先獲得無定形結構，然後再經800-1000℃的退火處理，使其轉化為穩定的四方MoSi2相，從而得到高的電導率。隨著集成電路集成度的進一步提高，可以肯定難溶金屬矽化物的需求一定會增長。當然，為了能夠更好的實用化，必須在盡量不改變目前集成電路制造工藝、耐氧化處理、又與矽和SiO2有良好的結合性等方面進行深入細致的研究。
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